便携电子器件中的宽IO（Wide-IO）存储器吸引了人们相当大的关注，这是由于它具有能进一步提升性能、减小形状因子、节约成本和降低功耗等优点。硅通孔（TSV）技术使得宽IO 的实现成为可能，并且它已在通孔结构的标准化上取得了重大进展。它所主要采用的是宽10μm、深50μm 的后通孔（Via-last）工艺，这种金属化结构类型对现有沉积工艺提出了许多技术和经济上的挑战。本文将探究对几种可能实现方法的赞成和反对意见，并且提出一种具有成本与性能优势的工艺流程，它能以最为有效的方式来实现宽IO 的卓越潜能。

22nm 技术节点标志着普通平面器件的按比例缩小已经开始向复杂3D 晶体管架构进行转化，这将会对大批量生产（HVM）中的光刻、缺陷和薄膜检测技术的未来需求进行重新的定义。对FinFET 中的特征尺寸（CD）、粗糙度、掺杂分布和其他参数的评估检测都将会产生新的复杂性，因为整个3D 结构将会对鳍和栅的尺寸、剖面轮廓和粗糙度等参数的工艺控制，以及金属栅的下挖量（undercuts）等提出更为苛刻的要求。类似地，未来的3D 存储器件将会具有高深宽比（HAR）沟槽以及多层堆叠通孔形成的多重栅结构，这将成为现今检测技术应用的最大障碍。SEMATECH 目前正在调研新检测技术的解决方案以应对未来技术节点的挑战。

铜线在芯片引线键合工艺中的应用越来越广泛，但是相比于金线键合，人们对铜线键合的认知还不够，同时，铜线键合的工艺成熟度也相对逊色。铜材料的硬度较高，这意味着引线键合工艺需要采用更大的机械力，因此就会造成芯片上焊盘的损坏以及潜在的可靠性降低等问题。在为工艺优化和取样所进行的键合压痕的研究中，可以用一种3D 光学显微镜来提供所需的形貌数据。本文将讨论目前一些公司要改用一种3D 光
学显微镜的原因，因为它是一种非接触式、全自动化的3D 检测手段，能够在数秒钟内获得键合焊盘的整体3D 剖面图。

氮气、氢气及氩气等气体在半导体工业中常用来作为工艺设备的清洗气体和反应前驱体的载气等，还可用于等离子辅助薄膜生长和实时清洗等工艺中，以及作为MOCVD、MBE 等外延生长工艺的退火气氛，乃至作为浸没式、极紫外（EUV）和压印等光刻工艺的工作气氛，来进行诸如发光二级管（LED）、激光器、高电子迁移率晶体管（HEMT）以及存储集成电路中具有纳米级结构器件的生产。LED 和半导体激光器等光学器件在光致发光能力上的退化现象，与含氧杂质的存在有着密切的关系。通过调节净化装置的吸附性能，可提高惰性气体（氮气、稀有气体）和氢气净化装置对污染水汽的去除性能。