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 复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上 ( 上传日期： 14/11/11
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据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战...
金纳米线心脏补丁可提高心肌导电性 ( 上传日期： 27/9/11
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据美国物理学家组织网9月26日报道，美国波士顿儿童医院和麻省理工学院工程与材料专家通过纳米技术，用微细的金线制成了一种心脏补丁，大大提高了现有心脏补丁的导电性...
为纳米设备充电的装置在美问世 ( 上传日期： 20/9/11
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近日，据美国物理学家组织网报道，美国莱斯大学在储能设备微型化研究方面取得新进展，开发出两款微型的充电装置，一种是薄膜式超级电容器，另一种是可充放电的纳米线，有望为将来的微型电子产品和...
加拿大在纳米电晶体领域取得新突破 ( 上传日期： 5/9/11
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加拿大纳米技术研究所和阿尔伯塔大学的研究团队证实利用微波炉可以创建制造模具，用来生产更小更复杂的晶片，降低制造纳米级电晶体的生产成本...
纳米温度计可测量单个细胞温度 ( 上传日期： 1/9/11
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据美国每日科学网8月29日（北京时间）报道，美国科学家日前开发出了一种能测量人体单个细胞温度的纳米温度计，并首次证实细胞内部温度并不像整个机体那样遵循平均37℃的标准...
纳米技术无处不在 ( 上传日期： 12/8/11
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据说伟大的东西往往来自于小得不起眼的包装。全球最大的科技专家联盟IEEE专家日前表示，可能会给人类世界带来最大影响的技术创新和设备如此之小，以至于几百万个加在一起也只有针头那么大...
美国斯坦福大学开发纳米电路剥离工艺 可将电路移植... ( 上传日期： 5/8/11
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美国斯坦福大学(Stanford University)的研究人员近日开发出一种创新的晶圆等级(wafer-scale)剥离(lift-off)工艺，能在可重复使用的硅晶圆上制作纳米线电路，然后将之移植到任意形状的、采用任何一...
尔必达25纳米DRAM试产成功 ( 上传日期： 3/8/11
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日本存储器大厂尔必达(Elpida)公布，已于2011年7月试产25纳米(nm)的2GB DDR3 SDRAM「EDJ2104BFSE／EDJ2108BFSE」样品。该公司为全球首家推出25纳米DRAM的企业，芯片面积也是世界最小。
纳米制程遇瓶颈 业者积极研发次世代存储器 ( 上传日期： 28/7/11
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随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。
纳米结构降低电动汽车电池成本 ( 上传日期： 19/7/11
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北京有一家新创公司，名为五河公司（Wuhe），正在制作电极材料和电池，可以降低电动汽车的成本。该公司使用纳米结构作为电池材料，就像其他最新的纳米结构一样，这种材料可以传输大量爆发的电力，...
Imec开发出用于纳米线晶体管的载流子分析的方法 ( 上传日期： 5/7/11
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Imec的研究人员已经开发了在受限三维尺寸下定量地确定活性掺杂的方法。这对于更加深入理解基于半导体纳米线的晶体管无疑是重要的一步。这种新方法是基于高真空扩展扫描电阻显微检查（HV-SSRM）。...
纳米加工技术使便携式燃料电池实用化 ( 上传日期： 30/6/11
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许多开发团体都表示，基于纳米线度加工的新方法可以通过交换膜来分离氢原子的电子，从而产生电流来使燃料电池工作。在未来的几年时间里，这种新方法很可能最终会大幅减小燃料电池的尺寸并降低它们...
清华大学安迪教授在《科学》周刊上发表研究成果：... ( 上传日期： 30/6/11
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大多数固体材料是由成千上万个小晶体组成，这些小晶体的取向、大小、形状以及它们在样品内的三维空间分布和排列决定了材料的性能...
离子注入：32纳米与22纳米器件制程的新促动要素 ( 上传日期： 30/6/11
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多年来，离子注入设备供应商主要在产能与拥有成本的差异上进行竞争，而当制程进入32纳米与22纳米制程后，新的机会正在到来，离子注入制程开始与新工艺接轨，它也正成为未来技术节点进行芯片制造的...
实现向450mm的转换 ( 上传日期： 30/6/11
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ISMI（The International SEMATECH Manufacturing Initiative）积极参与到2012年生产线的基础设施规划和协调活动中，以向其成员公司提供相关的数据信息。为了实现这一目标，ISMI在硅材料、指引制...
含氮自由基修复InN外延层 ( 上传日期： 30/6/11
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InN是氮化物材料体系中禁带宽度最窄、电子迁移率最高的一种，由于该种材料的质量较次，阻碍了它成为红外光发射器和高速电子器件的关键组成部分。
HfO2电介质层提高器件输出功率 ( 上传日期： 30/6/11
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来自RPI的领衔作者Alexei Koudymov宣布，这些器件能用于雷达、通信、卫星通信系统以及新型SDR（软件无线电）。“当频率在2GHz以上时，器件的最大优势得以体现；与惯常经过退火处理的接触层相比，...
SOI和体硅FinFET ( 上传日期： 30/6/11
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SOI和体硅FinFET：在器件性能、制造差异性和成本
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