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  制造工艺
Plessey获取GaN-on-Si LED制造技术      ( 上传日期: 26/3/12  )
据国外媒体25日报道,英国半导体公司Plessey Semiconductor获得CamGaN LED制造技术的相关专利,
日本研制出印刷式OLED面板技术      ( 上传日期: 26/3/12  )
日经新闻今日(3月26日)报道,日本山形大学时任静士等教授已成功研发出一套可藉由印刷的方式来制造OLED面板驱动元件(电晶体)的新技术。
应对5G WiFi 新一代无线测试的挑战      ( 上传日期: 24/2/12  )
被业界认为是第五代WiFi的802.11ac正在呼之欲出,它与之前的WiFi标准制式有哪些方面的不同,为什么会被业界如此看好,让我们先来了解一下WiFi和WLAN的历史。
科锐推出用于碳化硅MOSFET功率器件的SPICE模型      ( 上传日期: 22/2/12  )
碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司日前宣布推出支持业界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面认证的SPICE模型。
巴斯夫与飞利浦日前在 OLED(有机发光二极管)技术研发方面取得突破性进展,成功将产品整合到汽车车顶中...
VTI Technologies推出电流消耗减半的全球最小陀螺...      ( 上传日期: 12/1/12  )
VTI推出新款3轴消费电子用数字陀螺仪CMR3100。CMR3100的电流消耗大幅降低,而且尺寸要比市场现有消费电子用陀螺仪小很多。此产品的推出标志着VTI再次提升了微机电系统(MEMS)微小化的标杆...
意法半导体推出全球首款双核陀螺仪      ( 上传日期: 12/1/12  )
意法半导体于1月11日推出全球首款能够同时处理用户动作识别与相机图像稳定两大功能的双核陀螺仪L3G4IS,创新的系统架构让设备厂商只需一个陀螺仪即可执行两个不同功能,从而优化手机、平板电脑等...
RF3928B 380W 氮化镓宽带脉冲功率放大器      ( 上传日期: 12/1/12  )
RFMD 新型 RF3928B 器件是一款 65V 380W 的高功率分立放大器,专用于 S 波段脉冲雷达、空中交通管制和监督以及通用宽带放大器应...
美实验室开发砷化镓新蚀刻法      ( 上传日期: 5/1/12  )
美国伊利诺大学(UniversityofIllinois)实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法,这种蚀刻方法,其制造速度较传统的湿式蚀刻制程来得快、而成本又较干式蚀刻来得低,一旦该制程获得...
Vishay Siliconix推出新品 扩充PowerPAIR®双芯...      ( 上传日期: 14/11/11  )
日前,Vishay宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET...
11月7日,德州仪器宣布推出适用于能量采集的新一代电源管理集成电路 (IC)。支持纳米(超低)级电能采集的高效率升压充电器不但可管理太阳能、热电、电磁以及振动等各种能源产生的微瓦至毫瓦级电源...
Edwards强调为中国提供“绿色”技术的承诺      ( 上传日期: 7/11/11  )
全球领先的真空和尾气处理设备制造商Edwards公司确定在中国实施技术和业务增长战略,以期支持中国快速发展的“绿色”节能固态照明、LED电视、LED背光显示器和太阳能电池板制造行业...
恩智浦携手立达信和GreenWave Reality 推出先进的...      ( 上传日期: 28/10/11  )
恩智浦半导体携手GreenWave Reality和立达信集团 在香港国际灯饰展上推出了智能照明解决方案,并同时展示了多款智能CFL、LED灯泡及灯具...
铜纳米线薄膜可显著降低电子设备成本      ( 上传日期: 8/10/11  )
近日,据国外媒体报道,美国杜克大学的科学家研制出了一种新型纳米结构,其具有降低手机、电子阅读器和iPad等显示器制造成本的潜力,亦能帮助科学家构建可折叠的电子产品并提升太阳能电池的性能....
高性能氮化镓晶体管研制成功      ( 上传日期: 23/9/11  )
据美国物理学家组织网9月22日报道,法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在(100)-硅(晶体取向为100)基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管(HEMTs)...
Intel将开发14nm处理器 目标2014年      ( 上传日期: 19/9/11  )
Intel副总裁兼笔记本、平板机业务总经理StevenSmith在旧金山的IDF2011大会上透露,Intel将于2014年投产采用14nm工艺的处理器...
Alchimer披露硅穿孔阻拦膜技术的重大进步      ( 上传日期: 8/9/11  )
Alchimer今天披露,其AquiVia硅穿孔阻拦层工序能够对复杂的硅地形提供均匀、有保证的100%阶梯覆盖率,包括高深宽比的扇形侧壁表面。阻拦层是硅穿孔薄膜堆栈中最底层的元素之一。
据美国物理学家组织网8月29日报道,一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料,其结构稳定,拥有卓越的电学特性,而且成本低廉,可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应...
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